高盛:存储芯片短缺将持续至2028年
高盛5月31日发布研究报告称，存储芯片短缺将持续至2028年，主因AI加速器需求激增导致存储器带宽与容量成为瓶颈，而HBM优先生产进一步限制传统DRAM/NAND产能扩张。高盛认为市场尚未充分认识到当前存储器行业上行周期的持久性，大多数存储器股票的市盈率仍低至中个位数水平便是明证。高盛在研究报告中重点指出三点。其一，需求前景更为明朗，服务器和人工智能设备配置比例显著提升且代理型AI应用持续扩展；其二，因产能扩张步伐放缓且HBM交易占比更高，供应增长受限；其三，客户通过长期协议作出更明确承诺，并实施更高效的资本支出规划。
以上因素将推动需求持续超越供给，从而形成更长的上升周期。机构甚至预期，即便到2028年，DRAM/NAND/HBM市场仍将面临供应短缺。基于对行业供需趋紧的判断，高盛上调了对存储芯片制造商DRAM、NAND及HBM产品的定价预期。
预计三星电子的传统DRAM平均销售价格在2026财年和2027财年将分别同比增长326%和27%，NANDASP则分别增长283%和33%；同时坚持看涨观点：HBMASP相较于传统DRAM实现“追赶"效应，有望推动其在2027财年实现约50%的同比增幅，并分别带动2026财年、2027财年及2028财年的HBM市场总规模达到560亿美元、1160亿美元和1680亿美元。
（来源：财联社）
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