DRAM存储etf刷新最快破百亿美元纪录

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美国首只‌重仓存储芯片龙头股票的ETF——Roundhill Memory ETF(代码DRAM)‌2026年4月2日‌上市，在成立50天后资产规模突破100亿美元，该存储etf刷新最快破百亿美元纪录，压过2024年贝莱德比特币ETF上市时的同期记录。

DRAM存储etf刷新最快破百亿美元纪录

作为背景，Roundhill存储ETF聚焦各类存储芯片的龙头公司。在数据中心需求激增的背景下，为看好存储芯片长期短缺的投资者提供了难得的投资工具。

美国“ETF趋势”网站的首席投资官Dave Nadig感慨称：“人们现在是毫不犹豫地冲刺进场，这股动能简直疯狂。”

Nadig还强调，这只存储etf仅用了10个交易日就吸引了首批10亿美元资金流入。仅在上周五一天，在全球存储芯片股大涨之际，基金单日净流入资金就达到10亿美元。

追踪散户交易行为的Vanda Research测算显示，散户投资者本周一买入了5500万美元的该存储etf，创下该存储etf上市以来个人投资者单日最大净流入纪录，甚至超过同期流入英伟达等个股的资金，反映出投资者希望以更广泛的方式押注整个行业。

Vanda全球宏观策略师Viraj Patel表示：“DRAM正在迅速成为当前半导体狂热行情的代表性标的。我找不到还有哪只ETF，能在这么短时间内吸引如此巨量的散户买盘。”

韩国敞口引爆投资者热情

Roundhill存储ETF的一鸣惊人，很大程度上来源于它为全球投资者提供了入手“纯存储”资产和买入两只韩国存储巨头（三星电子和SK海力士）的机会。

Roundhill存储ETF持仓文件显示，截至5月12日，SK海力士（持仓占比27.3%）、美光科技（27.03%）和三星电子（20.13%）位列前三大持仓，其他持股还包括闪迪、铠侠等美国和亚洲存储行业公司。

Roundhill存储ETF策略师Thomas DiFazio表示，在大多数半导体领域的ETF基准中，只有一家大型存储芯片制造商：在美国上市的美光。

因此在许多已经上市的半导体ETF中，并不包含三星、海力士这两家屡创新高的存储行业龙头公司。DRAM基金上市前，许多希望买入这两家公司的外国投资者，只能借道贝莱德的韩国ETF。数据显示，iShares韩国ETF的资产规模在过去一年里从近30亿美元增长至近230亿美元。

盈透证券的市场策略师Steve Sosnick表示：“很多投资者把Roundhill存储ETF视为一种替代性工具，用来间接押注那些很有吸引力、但平时又不太容易买到的韩国股票。”

对于Roundhill Memory ETF来说，下一个里程碑挑战将是突破100亿美元关口。作为对比，贝莱德比特币基金在2024年1月上市后，用了7周时间实现了这一成就。

（来源：财联社）


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